低噪声放大器电路

摘要：

一种低噪声放大器电路，用以将一单端输入信号转换为一双端输出信号且包括输入转导级电路及电流缓冲级电路。输入转导级电路包括第一及第二晶体管。电流缓冲级电路包括第三及第四晶体管。输入转导级电路及电流缓冲级电路串联。单端输入信号位于第一晶体管的源极。双端输出信号为一差动输出信号，跨越于第三及第四晶体管的漏极之间。第一晶体管的本体耦接第二晶体管的源极，且第二晶体管的本体耦接第一晶体管的源极。第一电容耦接于第三晶体管的栅极与第四晶体管的源极之间，且第二电容耦接于第四晶体管的栅极与第三晶体管的源极之间。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810149988.2

申请日期：2008-10-24

公开/公告号：CN101420204

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:财团法人工业技术研究院

发明/设计人:郭明清;高小文;陈志宏

主申请人地址:中国台湾新竹县

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:蒲迈文

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1. 一种低噪声放大器电路，用以将一单端输入信号转换为一双端输出信号，包括：一输入转导级电路，包括并联耦接的一第一金属氧化物半导体晶体管及一第二金属氧化物半导体晶体管；以及一电流缓冲级电路，包括并联耦接的一第三金属氧化物半导体晶体管及一第四金属氧化物半导体晶体管；其中，所述第一、第二、第三、及第四金属氧化物半导体晶体管的每一者具有本体、栅极、源极、以及漏极；其中，该输入转导级电路及该电流缓冲级电路串联耦接，以形成一堆栈放大器架构；其中，该单端输入信号位于该输入转导级电路中该第一金属氧化物半导体晶体管的源极；其中，该双端输出信号为一差动输入信号，跨越于该第三金属氧化物半导体晶体管的漏极与该第四金属氧化物半导体晶体管的漏极之间；其中，该输入转导级电路中所述第一及第二金属氧化物半导体晶体管交错耦接，该第一金属氧化物半导体晶体管的本体耦接该第二金属氧化物半导体晶体管的源极，且该第二金属氧化物半导体晶体管的本体耦接该第一金属氧化物半导体晶体管的源极；以及其中，该电流缓冲级电路中所述第三及第四金属氧化物半导体晶体管交错耦接，一第一电容耦接于该第三金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第四金属氧化物半导体晶体管的源极之间，且一第二电容耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第三金属氧化物半导体晶体管的源极之间。