低噪声放大器电路

摘要：

一种低噪声放大器电路，其包括MOS晶体管以及共振腔滤波器电路。MOS晶体管在共栅放大器结构内。MOS晶体管具有本体、栅极、源极、以及漏极。MOS晶体管的源极与漏极分别作为低噪声放大器电路的单一输入端及单一输出端。共振腔滤波器电路耦接MOS晶体管的栅极。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810149987.8

申请日期：2008-10-24

公开/公告号：CN101420203

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:财团法人工业技术研究院

发明/设计人:郭明清;陈志宏;高小文

主申请人地址:中国台湾新竹县

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:蒲迈文

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1. 一种低噪声放大器电路，包括：一金属氧化物半导体MOS晶体管，在一共栅放大器结构内，其中，该MOS晶体管具有本体、栅极、源极、以及漏极，该MOS晶体管的源极与漏极分别作为该低噪声放大器电路的一单一输入端及一单一输出端；以及一共振腔滤波器电路，耦接该MOS晶体管的栅极。