光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法

摘要：

本发明公开一种光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法，所述光掩模包括形成于线型图案(41)与岛型图案(43)之间的点型图案(45)。使用该光掩模制造半导体器件的方法改进器件的良率及生产率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810132384.7

申请日期：2008-07-16

公开/公告号：CN101446756

公开/公告日：2009-06-03

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:海力士半导体有限公司

发明/设计人:文载寅

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人:顾红霞%何胜勇

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

1. 一种光掩模，包括第一图案、第二图案以及设置于所述第一图案与所述第二图案之间的一个或多个点型图案。