制造半导体器件的方法

摘要：

本发明公开一种制造半导体器件的方法。曝光掩模使得能够形成精细图案，通过防止在第一图案与第二图案之间的间隔中产生浮渣，从而能够实现半导体器件的高度集成。所述曝光掩模包括第一图案及与所述第一图案邻近的第二图案。在所述第一图案与所述第二图案之间形成有间隔。所述第一图案及所述第二图案可各自包括与所述间隔邻近的方波形边缘。所述方波形边缘包括多个凹入部分及凸起部分。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810130772.1

申请日期：2008-07-17

公开/公告号：CN101533216

公开/公告日：2009-09-16

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:海力士半导体有限公司

发明/设计人:文载寅

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人:顾红霞%何胜勇

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

1. 一种曝光掩模，包括：第一图案；以及第二图案，其与所述第一图案邻近，在所述第一图案与所述第二图案之间形成有间隔，其中，所述第一图案包括与所述间隔邻近的方波形边缘，所述方波形边缘包括多个凹入部分及凸起部分。