光刻设备和污染物去除或防止方法

摘要：

本发明公开了一种光刻设备和污染物去除或防止方法。浸没式光刻设备通过使用清洁液体进行清洁，所述清洁液体主要由超纯净水以及(a)过氧化氢和臭氧的混合物、或(b)浓度高达5％的过氧化氢、或(c)浓度高达50ppm的臭氧、或(d)浓度高达10ppm的氧气、或(e)选自(a)-(d)的任何组合物构成。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810130025.8

申请日期：2008-07-24

公开/公告号：CN101354538

公开/公告日：2009-01-28

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

发明/设计人:A·M·C·P·德琼;H·詹森;M·H·A·里恩德尔斯;A·J·范德奈特;P·F·沃恩腾;J·C·J·范德东克;R·D·沃森;T·C·范登都尔;N·什库;J·W·克龙姆威杰克

主申请人地址:荷兰维德霍温

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:王波波

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1.一种浸没式光刻设备，包括：浸没系统，所述浸没系统配置用于至少部分地以浸没液填充浸没空隙；清洁液体供给系统，所述清洁液体供给系统配置用于将清洁液体提供到所述浸没空隙；以及清洁液体，所述清洁液体包含在所述浸没空隙中和/或在所述清洁液体供给系统中；其中，所述清洁液体主要由超纯净水以及(a)过氧化氢和臭氧的混合物、或(b)浓度高达10％的过氧化氢、或(c)浓度高达50ppm的臭氧、或(d)浓度高达10ppm的氧气、或(e)选自(a)-(d)的任何组合物构成。