半导体器件

摘要：

一种半导体器件包括：电平移位电路，将具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅的输入信号转换为具有从第一电源电势至第三电源电势的振幅的信号；第一输出部分，基于电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端，所述第一输出部分包括NMOS晶体管；以及第二输出部分，基于电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端，所述第二输出部分包括PMOS晶体管。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810128305.5

申请日期：2008-07-04

公开/公告号：CN101340189

公开/公告日：2009-01-07

主分类号：H03K19/0185(2006.01)I

申请/专利权人:恩益禧电子股份有限公司

发明/设计人:川东章悟

主申请人地址:日本神奈川

专利代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人:陆锦华%黄启行

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种半导体器件，包括：电平移位电路，将具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅的输入信号转换为具有从所述第一电源电势至第三电源电势的振幅的信号；第一输出部分，基于所述电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端，所述第一输出部分包括NMOS晶体管；以及第二输出部分，基于所述电平移位电路的输出，将从所述第三电源电势产生的电压输出至所述输出端，所述第二输出部分包括PMOS晶体管。