凸点下金属层和连接垫层的形成方法

摘要：

一种凸点下金属层的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层、绝缘介质层及位于绝缘介质层中的凹槽，金属层位于绝缘介质层之上以及凹槽内；在金属层之上形成硬掩膜层；在硬掩膜层之上形成光刻胶层，定义出凸点下金属层形状；以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层；去除光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀金属层；去除硬掩膜层。类似地，本发明还提供了一种形成连接垫层的方法。与现有技术相比，本发明重新安排了灰化和刻蚀凸点下金属层的工艺步序，使绝缘介质层在去除光刻胶的过程中有了金属层的保护，解决了绝缘介质层中聚酰亚胺大量损失的问题，有助于提高产品的良率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810114066.8

申请日期：2008-05-30

公开/公告号：CN101592876

公开/公告日：2009-12-02

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

发明/设计人:王新鹏;韩秋华;沈满华;孙 武

主申请人地址:100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:李 丽

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种凸点下金属层的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层、绝缘介质层及位于绝缘介质层中的凹槽，金属层位于绝缘介质层之上以及凹槽内；在金属层之上形成硬掩膜层；在硬掩膜层之上形成光刻胶层，定义出凸点下金属层形状；以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层；去除光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀金属层；去除硬掩膜层。