修正光刻胶图形误差的方法

摘要：

一种修正光刻胶图形误差的方法，包括下列步骤：根据密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的电路图形尺寸，依次执行第一光刻胶修剪步骤、第二光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形或依次执行第二光刻胶修剪步骤、第一光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，若所述密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形中相同电路图形的尺寸差异超过跨栅距蚀刻偏差的范围，则重复上述步骤，其中，所述第一光刻胶修剪步骤与第二光刻胶修剪步骤中密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的蚀刻速率比较结果相反。所述修正光刻胶图形误差的方法减小了密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的尺寸差异，提高了光刻工艺的精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810113982.X

申请日期：2008-05-30

公开/公告号：CN101592858

公开/公告日：2009-12-02

主分类号：G03F1/14(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

发明/设计人:陈海华;黄 怡;张海洋

主申请人地址:100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:李 丽

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种修正光刻胶图形误差的方法，其特征在于，包括下列步骤：根据密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的电路图形尺寸，依次执行第一光刻胶修剪步骤、第二光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形或依次执行第二光刻胶修剪步骤、第一光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，若所述密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形中相同电路图形的尺寸差异超过跨栅距蚀刻偏差的范围，则重复上述步骤，其中，所述第一光刻胶修剪步骤与第二光刻胶修剪步骤中密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的蚀刻速率比较结果相反。