去除光刻胶层方法

摘要：

一种去除光刻胶层方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有经过刻蚀的器件层以及用于掩膜的光刻胶层；采用含氧气体灰化光刻胶层，其中，所述灰化温度根据待形成的MOS晶体管的截止漏电流的大小选取。本发明在形成半导体器件的灰化过程中通过根据MOS晶体管的截止漏电流的大小选取灰化温度，避免灰化工艺使MOS晶体管的截止漏电流增大。本发明通过在刻蚀形成栅极的装置中原位(in-situ)进行灰化，在减小灰化工艺影响截止漏电流大小的同时，减少了置入反应离子刻蚀装置中抽真空等步骤，加快了半导体器件循环时间。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810113693.X

申请日期：2008-05-29

公开/公告号：CN101592873

公开/公告日：2009-12-02

主分类号：G03F7/26(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

发明/设计人:魏莹璐;吴国燕

主申请人地址:100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:李 丽

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种去除光刻胶层方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有经过刻蚀的器件层以及用于掩膜的光刻胶层；采用含氧气体灰化光刻胶层，其中，所述灰化温度根据待形成的MOS晶体管的截止漏电流的大小选取。