FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

摘要：

本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括基板，形成在基板上的公共电极、栅线和栅电极，形成在基板上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上并位于栅电极之上的有源层，形成在基板上的数据线、源电极和漏电极，钝化层形成在基板上，在像素区域形成有条状并依次排列的钝化层沟槽，在漏电极位置形成有钝化层过孔，像素电极形成在钝化层上并位于钝化层沟槽内，通过钝化层过孔与漏电极连接。本发明最大限度地消除了像素区域内的像素电极的台阶端差，平整的像素电极表面使后续取向膜摩擦取向处理能获得均匀的取向角度，一方面提高了画面品质，另一方面大大提高了像素电极设计的自由度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810103878.2

申请日期：2008-04-11

公开/公告号：CN101556417

公开/公告日：2009-10-14

主分类号：G02F1/1362(2006.01)I

申请/专利权人:北京京东方光电科技有限公司

发明/设计人:陈 旭;闵泰烨;林承武;谢振宇

主申请人地址:100176北京市经济技术开发区西环中路8号

专利代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人:刘 芳

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：基板；公共电极、栅线和栅电极，分别形成在所述基板上；栅绝缘层，形成在所述基板上并覆盖所述公共电极、栅线和栅电极；有源层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述栅电极之上；数据线、源电极和漏电极，形成在所述基板上；钝化层，形成在所述基板上，在像素区域形成有条状并依次排列的钝化层沟槽，在所述漏电极位置形成有钝化层过孔；像素电极，形成在所述钝化层上并位于所述钝化层沟槽内，通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。