去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法

摘要：

本发明公开了一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，包括：步骤1.在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2.在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述特征参数包括高频电源功率、压力以及所述选择的气体流量。本发明选用O₂ plasma与模拟基板上的PI膜进行第二次反应，不仅能完全去除PI膜残余物，而且不破坏模拟基板上的ITO层，防止ITO层龟裂产生碎片，同时还可有效去除模拟基板上的静电，防止模拟基板移动时发生破碎，从而提高了模拟基板的重复利用率，延长模拟基板使用寿命。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810103788.3

申请日期：2008-04-10

公开/公告号：CN101556439

公开/公告日：2009-10-14

主分类号：G03F7/36(2006.01)I

申请/专利权人:北京京东方光电科技有限公司

发明/设计人:宋勇志

主申请人地址:100176北京市经济技术开发区西环中路8号

专利代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人:刘 芳

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在于，包括：步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述设定的特征参数包括高频电源功率、压力以及气体流量。