功率放大器偏置电路

摘要：

本发明公开了一种HBT功率放大器偏置电路，包括功率放大电路、线性化偏置电路和一功率控制电路，功率控制电路包括构成镜像电流结构的第四晶体管T4和第五晶体管T5、用于控制电流的第三晶体管T3，以及第二电阻R2；该第三晶体管T3的集电极连接于所述线性化偏置电路的第二晶体管T2的基极；该第三晶体管T3的发射极连接于第四晶体管T4的基极、第五晶体管T5的基极和第五晶体管T5的集电极；该第三晶体管T3的基极通过第二电阻R2连接于电流源Vref，并同时连接于第四晶体管T4的集电极；该第四晶体管T4和第五晶体管T5的发射极分别接地。本发明能够稳定地随输出功率状态的变化，而改变偏置电流的大小。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810100956.3

申请日期：2008-02-27

公开/公告号：CN101521486

公开/公告日：2009-09-02

主分类号：H03F1/02(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:毕晓君;张海英

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种异质结双极晶体管HBT功率放大器偏置电路，包括功率放大电路和线性化偏置电路(101)，该功率放大电路包括一个或一组信号放大晶体管T1、用于给晶体管T1直流馈电的电感L，以及一个输入电容Ci和输出电容Co；该线性化偏置电路(101)包括第二晶体管T2、两个起温度补偿作用的第一二极管D1和第二二极管D2，以及一个第一电阻R1和第一电容C1；其特征在于，该电路还包括：一功率控制电路(102)，包括构成镜像电流结构的第四晶体管T4和第五晶体管T5、用于控制电流的第三晶体管T3，以及第二电阻R2；该第三晶体管T3的集电极连接于所述线性化偏置电路(101)的第二晶体管T2的基极，使整个功率控制电路(102)对所述线性化偏置电路(101)构成旁路的作用；该第三晶体管T3的发射极连接于第四晶体管T4的基极、第五晶体管T5的基极和第五晶体管T5的集电极；该第三晶体管T3的基极通过第二电阻R2连接于电流源Vref，并同时连接于第四晶体管T4的集电极；该第四晶体管T4和第五晶体管T5的发射极分别接地。