利用间隔物掩模的频率加倍

摘要：

本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后，去除所述牺牲掩模，以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810098364.2

申请日期：2008-05-30

公开/公告号：CN101339361

公开/公告日：2009-01-07

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:应用材料公司

发明/设计人:克里斯多佛·D·本彻尔;堀冈启治

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人:赵 飞

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1.一种用于制造半导体掩模的方法，包括：提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层，其中所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线；以及在修剪所述间隔物掩模之后，去除所述牺牲掩模。