可变衰减器

摘要：

本发明涉及一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端。该衰减器的串联电阻是膜状电阻，其还包括至少一个用于改变该串联电阻阻值的导电片，该导电片固定在绝缘物上。本发明在适合于各种高频及微波电路及系统，其具有频带宽、体积小、易于制造、成本低的特点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810090789.9

申请日期：2008-03-26

公开/公告号：CN101546989

公开/公告日：2009-09-30

主分类号：H03H7/25(2006.01)I

申请/专利权人:深圳市研通高频技术有限公司

发明/设计人:阎跃军

主申请人地址:518045广东省深圳市福田区滨河路爱地大厦西座16D

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1. 一种可变衰减器，其包括：基板，在该基板上由串联电阻和并联电阻制作的衰减器，该衰减器的信号输入端，信号输出端，共同接地端，其特征在于：该衰减器的串联电阻是膜状电阻，其还包括用于改变该串联电阻阻值的导电片，该导电片固定在绝缘物上。