双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器
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双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器

引用
一种双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器,属于射频低噪声放大器的技术领域。该放大器在背景技术的双频段低噪声放大器的基础上将放大5.2GHz信号的模式改成了共栅放大模式,去除一个电感,增加一个由MOS管构成的5.2GHz使能电路,5.2GHz输出信号从与2.4GHz信号输出端分开的5.2GHz信号输出端输出。该放大器有噪声低、功耗小和面积小等优点,特别适于在无线通信设备中作前端放大器。

发明专利

CN200810041015.7

2008-07-25

CN101431316

2009-05-13

H03F3/45(2006.01)I

华东师范大学

马和良;陈 磊;赖宗声;张润曦;雷 奥;何 伟;徐 萍;张 勇;李 斌

200241上海市东川路500号

上海德昭知识产权代理有限公司

程宗德%石 昭

上海;31

1、一种双频段电感复用的射频CMOS低噪声放大器,含第一MOS管(M1),第二MOS管(M2),第一电感(L1),第二电感(L2),第三电感(Ls),第四电感(Lg),电阻(RB),第一电感(L1)、第二电感(L2)、第MOS管(M2)、第一MOS管(M1)和第三电感(Ls)串联后跨接在电源正端(VDD)和电源负端(GND)之间:第一电感(L1)的一端与电源正端(VDD)连接,第一电感(L1)的另一端与第二电感(L2)的一端连接,第二电感(L2)的另一端与第二MOS管(M2)的漏极连接在一起作为2.4GHz输出信号的输出端(Vout,2.4),第二MOS管(M2)的源极与第一MOS管(M1)的漏极连接,第一MOS管(M1)的源极与第三电感(Ls)的一端连接,第三电感(Ls)的另一端与电源负端(GND)连接,第MOS管(M2)的栅极作为信号控制端(V2.4,enable),第四电感(Lg)的一端作为2.4GHz信号的输入端(Vin,2.4),第四电感(Lg)的另一端与第一MOS管(M1)的栅极连接,电阻(RB)的一端与第一MOS管(M1)的栅极连接,电阻(RB)的另一端作为2.4GHz信号的偏置电压输入端(VB,2.4),其特征在于,它还含第三MOS管(M3),第四MOS管(M4),第一电容(C1),第二电容(C2),第三电容(C3),第二电容(C2)与第一电容(C1)串联后跨接在第一MOS管(M1)的源极和电源负端(GND)之间,第二电容(C2)与第一电容(C1)的连接点作为5.2GHz输入信号的输入端(Vin,5.2),第三MOS管(M3)的漏极和源极跨接在第一电感(L1)与第二电感(L2)的连接点和第一MOS管(M1)的源极之间,第三MOS管(M3)的栅极作为放大5.2GHz信号的放大器的使能端(V5.2,enable),第三MOS管(M3)的漏极作为5.2GHz输出信号的输出端(Vout5.2),第三电容(C3)与第四MOS管(M4)串联后跨接在第三MOS管(M3)的漏极和电源负端(GND)之间:第三电容(C3)的一端与第三MOS管(M3)的漏极连接,第三电容(C3)的另一端与第四MOS管(M4)的漏极连接,第四MOS管(M4)的源极与电源负端(GND)连接,第四MOS管(M4)的栅极作为5.2GHz信号的偏置电源输入端(VB,5.2)。
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2011-06-15发明专利申请公布后的视为撤回
2009-05-13公开
2009-07-08实质审查的生效
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