可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法

摘要：

本发明提出一种可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法，其包括：使用一第一显影液对上述晶圆进行喷涂；使用一第一清洗液清洗上述晶圆；使用一第二显影液对上述晶圆进行喷涂；对上述晶圆进行显影；以及使用一第二清洗液清洗上述晶圆。该显影方法，在普通的显影制程之前增加了一步预反应并立刻冲洗的步骤。即在喷涂一次显影液后，立刻使用大量去离子水冲洗，以及时去除剧烈反应生成的大量生成物残渣，使它们没有足够的时间堆积并沉积黏附在晶圆表面，因此能够有效的去除晶圆光刻工艺过程中的显影缺陷。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810037677.7

申请日期：2008-05-20

公开/公告号：CN101587305

公开/公告日：2009-11-25

主分类号：G03F7/30(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明/设计人:邹渊渊;梁国亮;高连花;蔡奇澄

主申请人地址:201203上海市张江路18号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所

代理人:屈 蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法，其特征在于包括：使用一第一显影液对上述晶圆进行喷涂；使用一第一清洗液清洗上述晶圆；使用一第二显影液对上述晶圆进行喷涂；对上述晶圆进行显影；以及使用一第二清洗液清洗上述晶圆。