一种光刻胶去除方法

摘要：

本发明提供了一种光刻胶去除方法，其在一灰化设备的反应腔中进行。现有技术中晶圆的温度为200至300摄氏度，氧气与稀释气体的配比大于10，从而使去除速率过大且难以控制，易在晶圆上生成损伤或缺陷。本发明首先将欲去除光刻胶的晶圆设置在反应腔中；然后调控反应腔的温度以使晶圆上的温度稳定在一预设温度范围内，该预设温度范围为70至150摄氏度；之后调控反应腔的压力且使其稳定在一预设压力范围内；最后向反应腔中通入氧气和稀释气体且开启微波发生器并持续一预设时段，其中，该氧气与稀释气体的配比范围为0.1至10。本发明可降低光刻胶的去除速率，从而使光刻胶的去除变得易于控制，并可避免因光刻胶去除过度而在晶圆上产生损伤或缺陷的事情发生。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810035092.1

申请日期：2008-03-25

公开/公告号：CN101546136

公开/公告日：2009-09-30

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明/设计人:王 立;王 鹏;刘 昕

主申请人地址:201203上海市张江路18号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所

代理人:屈 蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种光刻胶去除方法，其在一灰化设备的反应腔中进行，该反应腔中设置有一微波发生器，该方法包括以下步骤：a、将欲去除光刻胶的晶圆设置在反应腔中，该晶圆上具有预设厚度的光刻胶；b、调控反应腔的温度以使晶圆上的温度稳定在一预设温度范围内；c、调控反应腔的压力且使其稳定在一预设压力范围内；d、向反应腔中通入氧气和稀释气体且开启微波发生器，并持续一预设时段；其特征在于，该预设温度范围为70至150摄氏度，在步骤d中，氧气与稀释气体的配比范围为0.1至10。