一种更替掩模版的方法

摘要：

本发明提供了一种更替掩模版的方法，提高新掩模版替换旧掩模版进行曝光的良率。该方法是先制作新旧掩模版交替曝光的晶圆，然后进行晶圆上相邻小晶粒扫描，查找缺陷，并判断缺陷是否在误差阈值内，如果是，则新掩模版可投入使用；如果不是，舍弃新掩模版，另外制作一块新掩模版，对制作的另外一块新掩模版开始同样的流程。此方法，通过将新旧掩模版交替曝光在同一片晶圆上，在进行相邻小晶粒扫描时，可查出新旧掩模版之间的相异之处，找出新掩模版相对旧掩模版存在的缺陷或旧掩模版本身的缺陷，克服传统更替方法中不能准确判断新旧掩模版匹配度的问题。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810035089.X

申请日期：2008-03-25

公开/公告号：CN101546112

公开/公告日：2009-09-30

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明/设计人:杨晓松;朱文渊

主申请人地址:201203上海市张江路18号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所

代理人:屈 蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1、一种更替掩模版的方法，应用新掩模版替换旧掩模版，所述新掩模版和旧掩模版的图案可成方格曝满整个晶圆，每个方格为若干小晶粒组成，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1：将新掩模版和旧掩模版曝成交替方格，曝在同一片晶圆上；步骤2：对步骤1曝在晶圆上方格的小晶粒进行相邻小晶粒的缺陷扫描；步骤3：采集步骤2的相邻小晶粒缺陷扫描数据，判断小晶粒的缺陷是否在误差阈值内，如果是执行步骤4，如果不是执行步骤5；步骤4：新掩模版可替代旧掩模版进行使用；步骤5：舍弃新掩模版，另外制作一块新掩模版并开始步骤1。