一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法

摘要：

一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法，所述监测结构的长度和宽度均小于切割道切割区域的长度和宽度，其中的关键尺寸条和对准标记按照与所述监测结构方向排列。所述掩膜版包括1个或多个所述监测结构。所述监测结构的使用方法，包括如下步骤：a.将监测结构设置在掩膜版上；b.通过曝光工艺将所述监测结构复制到晶片上；c.切割掉复制在晶片上的所述监测结构，其中切割道切割区域应覆盖所述监测结构。本发明能消除监测结构切割过程中的金属残留。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810033256.7

申请日期：2008-01-29

公开/公告号：CN101498896

公开/公告日：2009-08-05

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:顾以理

主申请人地址:201203上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市金杜律师事务所

代理人:罗 朋

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1. 一种用于监测半导体光刻工艺的监测结构，其特征在于，所述监测结构的图案包括以下任多项：-1个或多个关键尺寸条，-1个或多个对准标记，所述监测结构的图案宽度小于等于切割道切割区域的宽度。