一种厚膜光刻胶清洗剂
本发明的一种厚膜光刻胶清洗剂,其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺类化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸类化合物。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以有效除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻),同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性,使其对晶片图形和基材表现出很低的腐蚀性,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
发明专利
CN200810032832.6
2008-01-18
CN101487993
2009-07-22
G03F7/42(2006.01)I
安集微电子(上海)有限公司
史永涛;彭洪修;曹惠英;刘 兵
201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
上海翰鸿律师事务所
李佳铭
上海;31
1. 一种厚膜光刻胶清洗剂,其特征在于:其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺类化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸类化合物。