宽带低噪声放大器

摘要：

本发明提供了一种宽带低噪声放大器，包括：共栅极输入电路，接收外部输入信号，实现输入匹配并提供低频段增益；共源共栅极放大电路，输入端通过第一电容器耦合到共栅极输入电路的输出端，提供高频增益并实现反向隔离；共源支路，包括第一MOS管，第一MOS管的栅极通过第二电容器耦合到共栅极输入电路的输入端，源极接地，漏极连接到共源共栅极放大电路的共源管的漏极；源极跟随器输出电路，输入端连接到共源共栅极放大电路的输出端，输出经过低噪声放大处理的信号。通过合理的设计共源管第一MOS管的跨导，可以抵消共栅极输入电路的噪声，从而实现很小的噪声系数。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810008812.5

申请日期：2008-01-24

公开/公告号：CN101494441

公开/公告日：2009-07-29

主分类号：H03F3/195(2006.01)I

申请/专利权人:三星电子株式会社%三星半导体(中国)研究开发有限公司

发明/设计人:高 彬

主申请人地址:韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416

专利代理机构:北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人:郭鸿禧%李云霞

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

1、一种宽带低噪声放大器，包括：共栅极输入电路，所述共栅极输入电路接收外部输入信号，用于实现输入匹配并提供低频段增益；共源共栅极放大电路，所述共源共栅极放大电路的输入端通过第一电容器耦合到所述共栅极输入电路的输出端，用于提供高频增益并实现反向隔离；共源支路，包括第一MOS管，所述第一MOS管的栅极通过第二电容器耦合到所述共栅极输入电路的输入端，其源极接地，其漏极连接到所述共源共栅极放大电路的共源管的漏极；源极跟随器输出电路，所述源极跟随器输出电路的输入端连接到所述共源共栅极放大电路的输出端，用于输出经过低噪声放大处理的信号。