一种纳米级印模结构及其在发光元件上的应用

摘要：

本发明公开一种具有纳米结构的印模，其包含：一基板，此一基板可为氧化铝或硅；位于基板上方的一缓冲层，此缓冲层可为氮化镓、金属或介电材料；位于缓冲层上方且具有纳米结构的印模层，此印模层为未掺杂氮化镓或n型氮化镓材料。本发明公开一种具有纳米结构的印模的制造方法，其包含形成一基板；形成一缓冲层，位于该基板之上；以及形成一印模层，位于该缓冲层之上，且其上表面利用有机金属化学气相沉积法或氢氧化钾溶液湿式蚀刻的方法以形成纳米级结构。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810003301.4

申请日期：2008-01-17

公开/公告号：CN101487974

公开/公告日：2009-07-22

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:晶元光电股份有限公司

发明/设计人:姚久琳;徐大正;谢明勋

主申请人地址:中国台湾新竹市

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:张 波

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1. 一种纳米级印模结构，包含：一基板；一印模层，位于该基板之上，其中该印模层的一表面具有一纳米级的结构；以及一缓冲层，位于该基板与该印模层之间。