光掩模对位曝光方法及光掩模组件

摘要：

本发明公开了一种光掩模对位曝光方法及光掩模组件。该方法包含利用第一光掩模的第一图案区曝光基板的光致抗蚀剂层，以形成至少一第一曝光区；利用第二光掩模的第二图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第二曝光区；利用第二光掩模的第三图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第三曝光区。第一曝光区位于第二曝光区与第三曝光区之间。本发明还披露一种光掩模组件。本发明可提高光掩模对位准确度，并减少接合不均现象，亦可以提高工艺效率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810001619.9

申请日期：2008-01-04

公开/公告号：CN101477318

公开/公告日：2009-07-08

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:奇美电子股份有限公司

发明/设计人:黄正邦;萧智梅

主申请人地址:中国台湾台南县

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:张 波

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1、一种光掩模对位曝光方法，包含：利用第一光掩模的第一图案区对于基板的光致抗蚀剂层进行曝光，以形成至少一第一曝光区；利用第二光掩模的第二图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光，以形成第二曝光区；以及利用该第二光掩模的第三图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光，以形成第三曝光区，其中，该第一曝光区位于该第二曝光区与该第三曝光区之间。