CMOS串联比较器、单端COMS反相器及其各自的控制方法

摘要：

本发明公开了一种CMOS串联比较器、单端COMS反相器及其各自的控制方法的控制方法；所述CMOS串联比较器的控制方法包括：所述CMOS串联比较器包含一单端CMOS反相器，所述单端CMOS反相器是由一NMOS及一PMOS互相耦合而成，该控制方法包括：提供一偏压电流至该NMOS，以提升该CMOS串联比较器的一共模电压。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200810000697.7

申请日期：2008-01-14

公开/公告号：CN101488755

公开/公告日：2009-07-22

主分类号：H03M1/34(2006.01)I

申请/专利权人:盛群半导体股份有限公司

发明/设计人:陈议诚;蔡明棋

主申请人地址:台湾省新竹市科学工业园区研新二路3号

专利代理机构:北京安信方达知识产权代理有限公司

代理人:霍育栋%郑 霞

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1、一种CMOS串联比较器，其特征在于，包括：一第一开关，具有一第一端、一控制端及一第二端，所述第一端接收一输入电压，所述控制端接收一第一控制信号；一第二开关，具有一第一端、一控制端及一第二端，所述第一端接收一参考电压，所述控制端接收一第二控制信号，所述第二端连接于该第一开关的所述第二端；一电容，具有一第一端及一第二端，所述第一端同时连接于所述第一开关的所述第二端以及所述第二开关的所述第二端；一第三开关，具有一第一端、一控制端及一第二端，所述第一端连接于所述电容的所述第二端以构成一第一节点并具有一第一节点电压，所述控制端接收一第三控制信号，所述第二端构成一第二节点并具有一第二节点电压；一NMOS，具有一漏极端、一栅极端及一源极端，所述漏极端连接于所述第二节点，该栅极端连接于所述第一节点，所述源极端连接于一低电压源；一第一PMOS，具有一源极端、一栅极端及一漏极端，所述源极端连接于一高电压源，所述栅极端连接于该第一节点，所述漏极端连接于所述第二节点；以及一偏压电流源，耦合于所述NMOS，用以提供一偏压电流至所述NMOS，使得在所述第一控制信号断开该第一开关、所述第二控制信号导通所述第二开关以及所述第三控制信号断开所述第三开关之时的所述第一节点电压，能够等于所述第一控制信号导通所述第一开关、所述第二控制信号断开所述第二开关以及所述第三控制信号导通所述第三开关之时的所述第一节点电压与所述第二节点电压之间的一压差。