可变电容电路

摘要：

可以在单个低电压上操作的开关电路。电容器(Ci)的多个(i＝0到n)串联电路和MOS-FET(Qi)的漏源极并联连接在第一端子(T1)和第二端子(T0)之间。在每一串联电路中，上拉电阻器(Ri)连接在反相器(Ai)的输出端和电容器(Ci)及MOS-FET(Qi)之间的结点之间。将用于电容控制的数字数据的每个位(bi)馈至MOS-FET(Qi)的栅极和反相器(Ai)，由此获得取决于在第一端子(T1)和第二端子(T0)之间的数字数据的值的电容。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780048827.8

申请日期：2007-10-02

公开/公告号：CN101578765

公开/公告日：2009-11-11

主分类号：H03J5/24(2006.01)I

申请/专利权人:索尼株式会社

发明/设计人:冈信大和

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:郭定辉

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种可变电容电路，其中：电容器和MOS-FET的漏-源极路径的多个串联电路并联连接在第一端子和第二端子之间；在每一所述串联电路中，上拉电阻器连接在反相器的输出端和所述电容器与所述MOS-FET之间的结点之间；将用于控制所述电容的数字数据的每个位提供给每一所述串联电路中的所述MOS-FET的栅极和所述反相器；且在所述第一端子和所述第二端子之间获得响应于所述数字数据的值改变的电容。