切换电路、可变电容器电路及其集成电路

摘要：

公开了切换电路、可变电容器电路及其IC。第一端子(T1)经由电容器(C11)而与背栅极被分离的MOS-FET(Q11)的漏极(或源极)相连接。该MOS-FET(Q11)在其源极(或漏极)与第二端子(T2)相连接。背栅极与源极(或漏极)相连接。控制电压(VG)提供至该MOS-FET(Q11)的栅极，以及经由电阻元件(R12)将具有与该控制电压(VG)的极性相反的极性的电压提供至该漏极。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780048377.2

申请日期：2007-10-05

公开/公告号：CN101578766

公开/公告日：2009-11-11

主分类号：H03K17/687(2006.01)I

申请/专利权人:索尼株式会社

发明/设计人:冈信大和

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所

代理人:黄小临

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种切换电路，其中：第一端子经由电容器而与MOS-FET的漏极(或源极)相连接，其中MOS-FET的背栅极被分离；该MOS-FET在其源极(或漏极)与第二端子相连接；该背栅极与该源极(或漏极)相连接；控制电压被提供至该MOS-FET的栅极；以及经由电阻元件，将具有与该控制电压的极性相反的极性的电压提供至该漏极。