声表面波装置

摘要：

本发明得到一种不易产生温度变化带来的特性的变动、每一根IDT电极指的反射系数高、窄频带化容易的声表面波装置。声表面波装置(1)的构成为：在由欧拉角为(0°±5°，0°～140°，0°±40°)的水晶构成的压电基板(2)上形成有IDT电极(3)，以覆盖IDT电极(3)的方式形成有由沿c轴取向的ZnO构成的压电膜(4)，在压电膜(4)的表面形成有与IDT电极(3)的厚度对应的凸部，并利用瑞利波作为声表面波，所述IDT电极由以Al、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni或Mo为主体的金属材料构成，当设定声表面波的波长λ时，在IDT电极中作为主体的金属、IDT电极的按照声表面波的波长标准化后的标准化膜厚、压电膜的按照声表面波的波长标准化后的标准化膜厚被设定在下述的表1所示的各组合的范围内。（表1见图下）。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780047929.8

申请日期：2007-12-13

公开/公告号：CN101584115

公开/公告日：2009-11-18

主分类号：H03H9/145(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社村田制作所

发明/设计人:门田道雄

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:李香兰

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种声表面波装置，具有：由欧拉角为0°±5°、0°～140°、0°±40°的水晶构成的压电基板、形成于所述压电基板上且具有多根电极指的IDT电极、以覆盖所述IDT电极的方式形成于所述压电基板上且由c轴取向的ZnO构成的压电膜，其中，在所述压电膜的表面形成有与所述IDT电极的厚度对应的凸部，并利用瑞利波作为声表面波，所述声表面波装置的特征在于，所述IDT电极由以选自Al、Au、Ta、W、Pt、Cu、Ni及Mo组成的组中的至少一种金属为主体的金属材料构成，当设定声表面波的波长λ时，在所述IDT电极中作为主体的金属、所述IDT电极的按照声表面波的波长标准化后的标准化膜厚、所述压电膜的按照声表面波的波长标准化后的标准化膜厚被设定在下述的表1所示的各组合的范围内，[表1]