含低分子溶解促进剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要：

本发明的课题是提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的用于形成防反射膜的形成防反射膜的组合物，所述防反射膜能够用光致抗蚀剂用的碱性显影液进行显影，并提供使用该形成防反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、至少具有2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。碱溶性树脂(a)是含有具有羧基的结构单元的聚合物，且多核酚(b)是分子内具有2～30个酚性羟基的化合物。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780046176.9

申请日期：2007-12-11

公开/公告号：CN101558358

公开/公告日：2009-10-14

主分类号：G03F7/11(2006.01)I

申请/专利权人:日产化学工业株式会社

发明/设计人:加藤雅一;滨田贵广;榎本智之

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市中咨律师事务所

代理人:段承恩%田 欣

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1.一种在制造半导体器件的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有碱溶性树脂(a)、多核酚(b)、具有至少2个乙烯基醚基的化合物(c)和光产酸剂(d)。