低蚀刻性光刻胶清洗剂
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低蚀刻性光刻胶清洗剂

引用
一种光刻胶清洗剂,包含:季胺氢氧化物,式I所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物,和式II所示的苯乙酮或其衍生物;其中,R<sub>1</sub>为含6-18个碳原子的芳基;R<sub>2</sub>为H、C<sub>1</sub>-C<sub>18</sub>的烷基或含有6-18个碳原子的芳基;m=2-6;n=1-6;R<sub>5</sub>和R<sub>6</sub>为H、羟基、C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>的烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>的烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>2</sub>的羟烷基。该清洁剂用于去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶或其它残留物。

发明专利

CN200780044674.X

2007-12-10

CN101548241

2009-09-30

G03F7/42(2006.01)I

安集微电子(上海)有限公司

刘 兵;彭洪修;史永涛

201203中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

上海翰鸿律师事务所

李佳铭

上海;31

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2012-05-30授权
2009-09-30公开
2017-02-01专利权的终止
2010-11-03实质审查的生效
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