功率半导体器件的控制方法和电路

摘要：

本发明涉及一种用于MOS门控功率半导体开关器件比如IGBT或MOSFET的控制方法和电路，针对在装置中广泛使用的一种基本半桥电路中的配对的功率半导体开关器件和续流二极管实现它们之间电流和电压换流过程的控制和优化。本方法包括如下步骤：当接收到接通信号时，在功率半导体开关器件的控制端或者栅极施加一个电压功能信号，所述电压功能信号在保持器件两端电压按照一个预定的速率下降的同时可以对器件内部电流的上升进行调节；基本上在二极管两端电压(V_AK)开始从通态向断态电压改变的时刻，在功率半导体开关器件的控制端或者栅极施加一个电压功能信号，使功率半导体开关器件两端的电压变化能够跟随二极管两端的电压变化，以确保开关过程快速和可控的完成，并完全免除二极管反向电压过冲。栅极驱动电路考虑到实际的运行情况，根据工作条件可自动修改电压功能信号。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780042245.9

申请日期：2007-09-10

公开/公告号：CN101617471

公开/公告日：2009-12-30

主分类号：H03K17/082(2006.01)I

申请/专利权人:剑桥企业有限公司

发明/设计人:帕特里克·霍金纳德·帕尔默;王娅岚;安格斯·托贝·布赖恩特

主申请人地址:英国剑桥

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:王新华

国别省市代码:英国;GB

权利要求：

1.一种控制配对的功率半导体开关器件和续流二极管之间换流的方法，此方法包括如下步骤：当接收到接通信号时，在所述功率半导体开关器件的控制端或者栅极施加电压功能信号，所述电压功能信号在改变所述器件两端电压的同时可以对所述器件内部的电流上升进行调节；基本上在所述二极管两端的电压(VAK)开始从通态向断态电压改变的时刻，在所述功率半导体开关器件的控制端或者栅极施加电压功能信号，使所述功率半导体开关器件两端的电压变化能够基本上跟随所述二极管两端的电压变化。