低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法

摘要：

提供了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性光刻胶清洗剂包含(a)季胺氢氧化物，(b)二甲基亚砜，(c)通式见上述的烷基二醇芳基醚及其衍生物，其中R₁为C_6-18芳基；R₂为H、C_1-18烷基或C_6-18芳基，m＝2-6，n＝1-6，(d)乙醇胺，(e)水和(f)缓蚀剂。该清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时能有效地抑制二氧化硅、Cu、Pb和Sn等金属以及低k材料等的腐蚀。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780037477.5

申请日期：2007-11-12

公开/公告号：CN101529339

公开/公告日：2009-09-09

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:安集微电子（上海）有限公司

发明/设计人:刘 兵;彭洪修;史永涛

主申请人地址:201203中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

专利代理机构:上海翰鸿律师事务所

代理人:李佳铭

国别省市代码:上海;31