光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物

摘要：

本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5％-3.0％、水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780036153.X

申请日期：2007-10-24

公开/公告号：CN101523297

公开/公告日：2009-09-02

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:关东化学株式会社

发明/设计人:大和田拓央

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司

代理人:张 晶

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种去除在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣的组合物，其特征在于，含有氟化物的质量百分含量为0.5％-3.0％，水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。