含有液体添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要：

本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780031573.9

申请日期：2007-08-20

公开/公告号：CN101506736

公开/公告日：2009-08-12

主分类号：G03F7/11(2006.01)I

申请/专利权人:日产化学工业株式会社

发明/设计人:堀口有亮;新城彻也;竹井敏

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市中咨律师事务所

代理人:段承恩%田 欣

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1. 一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)，且是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的。