光学装置、特别是用于EUV光刻的投影曝光设备、以及具有降低的污染的反射光学元件

摘要：

本发明涉及一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)；以及至少一个真空外壳(18，18.1至18.10)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1，17.2)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18.1至18.10)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元降低至少在所述光学表面(17，17.1，17.2)附近处污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780027669.8

申请日期：2007-09-18

公开/公告号：CN101495921

公开/公告日：2009-07-29

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:卡尔·蔡司半导体技术股份公司%ASML荷兰有限公司

发明/设计人:D·H·埃姆;S·米勒伦德;T·施泰因;J·H·J·莫尔斯;B·T·沃尔斯施里金;D·克劳斯;R·维尔斯路易斯;M·G·H·迈耶因克

主申请人地址:德国奥伯科琛

专利代理机构:永新专利商标代理有限公司

代理人:蹇 炜

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

1、一种光学装置，特别是一种用于EUV光刻的投影曝光设备(1，1’)，包括：围住内部空间(15)的外壳(2)；至少一个布置在所述外壳(2)中的光学元件(4至10，12，14.1至14.6)，特别是反射光学元件；以及至少一个用于在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中产生真空的真空产生单元(3)，其特征在于至少一个真空外壳(18，18.1至18.11，109)，布置在所述外壳(2)的所述内部空间(15)中，并且至少围住所述光学元件(4至10，12，14.1至14.5)的光学表面(17，17.1至17.5)，其中，污染降低单元与所述真空外壳(18，18.1至18.11，109)关联，相对于所述内部空间(15)中的所述污染物质的分压，所述污染降低单元至少降低在所述光学表面(17，17.1至17.5)附近的污染物质的分压，特别是水和/或碳氢化合物的分压。