声表面波装置

摘要：

本发明提供一种声表面波装置，通过形成SiO₂膜，能够谋求改善频率温度特性，并且不易产生插入损耗的增大，电极的反射系数能够得到足够的大小，而且能够抑制不希望的上述乱真信号，由此，能够获得更加良好的谐振特性、滤波器特性。在声表面波装置(11)中，LiNbO₃基板(1)的上表面形成了多个沟槽(1b)，通过在沟槽(1b)中填充金属形成了IDT电极(3)，按照覆盖LiNbO₃基板(1)的上表面(1a)和IDT电极(3)的方式形成了SiO₂层(4)，SiO₂层(4)的表面被平坦化，利用了基于瑞利波的响应，并LiNbO₃基板的欧拉角在(0°±5°，180°～247°，0°±5°)的范围。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780025519.3

申请日期：2007-06-11

公开/公告号：CN101485086

公开/公告日：2009-07-15

主分类号：H03H9/145(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社村田制作所

发明/设计人:矢追真理;木村哲也;门田道雄

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:李香兰

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种声表面波装置，具有：压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，所述压电基板是欧拉角为(0°±5°，180°～247°，0°±5°)的LiNbO3基板。