半导体装置换能器和方法

摘要：

一种半导体装置，例如具有电容性、非压电执行器的谐振装置，该执行器具有耗尽区域。也提供了一种用于半导体装置的电容性执行器，用于制造所述执行器的方法，以及用于操作半导体装置的方法。在操作方法中，施加穿过半导体装置的耗尽区域的驱动电压，例如具有用于驱动谐振半导体装置的变化的电压成分的驱动电压。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780024235.2

申请日期：2007-06-27

公开/公告号：CN101479934

公开/公告日：2009-07-08

主分类号：H03H9/02(2006.01)I

申请/专利权人:剑桥企业有限公司

发明/设计人:J·兰斯利;C·杜尔坎;A·塞西亚

主申请人地址:英国剑桥市

专利代理机构:北京润平知识产权代理有限公司

代理人:周建秋%王凤桐

国别省市代码:英国;GB

权利要求：

1. 一种具有(实质上是非压电的)电容性执行器的半导体装置，该执行器包括耗尽区域。