使用封装的硅切换功率传递的系统和方法

摘要：

在一个特定实施例中，一种集成电路包含封装和以电和物理形式耦合到所述封装的衬底。所述封装包含第一引脚、第二引脚以及将所述第一引脚耦合到所述第二引脚的金属化件。所述衬底经由所述第一引脚和所述第二引脚耦合到所述封装。所述衬底包含多个功率域和一功率控制单元。所述封装的所述第二引脚耦合到所述多个功率域中的特定功率域。所述功率控制单元包含逻辑和开关，其中所述开关包含耦合到电压供应端子的第一端子、耦合到所述逻辑的控制端子以及耦合到所述封装的所述第一引脚的第二端子。所述逻辑选择性地启动所述开关以经由所述封装的所述金属化件向所述特定功率域分配功率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780023853.5

申请日期：2007-05-09

公开/公告号：CN101479941

公开/公告日：2009-07-08

主分类号：H03K19/00(2006.01)I

申请/专利权人:高通股份有限公司

发明/设计人:刘·G·蔡-奥安;托马斯·R·汤姆斯;博利斯·季米特诺夫·安德烈亚夫;贾斯汀·约瑟夫·罗森·加涅;施春蕾

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人:刘国伟

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1. 一种集成电路，其包括：封装，其包含第一引脚、第二引脚以及将所述第一引脚耦合到所述第二引脚的金属化件；以及衬底，其经由所述第一引脚和所述第二引脚以电和物理形式耦合到所述封装，所述衬底包括多个功率域和一功率控制单元，所述封装的所述第二引脚耦合到所述多个功率域中的特定功率域，所述功率控制单元包括逻辑和开关，所述开关包含耦合到电压供应端子的第一端子、耦合到所述逻辑的控制端子以及耦合到所述封装的所述第一引脚的第二端子，所述逻辑用以选择性启动所述开关以经由所述封装的所述金属化件向所述特定功率域分配功率。