含有具有羟基的缩合系树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要：

本发明的课题是提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，所述光刻用抗蚀剂下层膜可以用作下述膜，即，减轻对半导体基板上所形成的光致抗蚀剂的曝光照射光从基板反射的下层防反射膜、用于将具有凹凸的半导体基板平坦化的平坦化膜、防止加热烘烤时从半导体基板产生的物质污染光致抗蚀剂的膜等。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其含有具有上述式(1)的结构的聚合物和溶剂，其中，Y表示碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～14的芳香族环，亚烷基和芳香族环具有羟基，该羟基数为1个以上，且为该亚烷基和芳香族环上能够取代的氢原子数以下。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780022550.1

申请日期：2007-06-15

公开/公告号：CN101473270

公开/公告日：2009-07-01

主分类号：G03F7/11(2006.01)I

申请/专利权人:日产化学工业株式会社

发明/设计人:广井佳臣;岸冈高广;坂本力丸

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京市中咨律师事务所

代理人:段承恩%田 欣

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1. 一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，含有具有下述式(1)结构的聚合物和溶剂，式(1)其中，上式中，Y表示碳原子数1～10的亚烷基或碳原子数6～14的芳香族环，亚烷基和芳香族环具有羟基，该羟基数为1个以上，且为该亚烷基和芳香族环上能够取代的氢原子数以下。