声界面波装置

摘要：

提供一种层叠第1～第4介质，在第1、第2介质间配置电极，延迟时间温度系数的绝对值小，温度特性良好的声界面波装置。一种声界面波装置(1)，按第1介质～第4介质的顺序层叠第1～第4介质(11～14)，在第1介质(11)和第2介质(12)之间的界面上配置包含IDT电极(16)的电极，在层叠第4介质(14)/第2介质(12)/电极/第1介质11构成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值，第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，第1介质(11)具有负的音速温度系数TCV，第3介质(13)的横波音速慢于第4介质(14)及/或第2介质(12)的横波音速。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780019212.2

申请日期：2007-05-11

公开/公告号：CN101454974

公开/公告日：2009-06-10

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社村田制作所

发明/设计人:神藤始

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:李香兰

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种声界面波装置，依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质和第2介质之间的界面上配置有电极，在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有负的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。