下层膜形成用组合物及图案形成方法

摘要：

本发明提供一种下层膜形成用组合物，其中，含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A)，通式(1)中，R₁表示羟基等，X表示碳原子数为1～20的可以取代的亚烷基等，n是0～6的整数，m是1～8的整数，n+m是1～8的整数，多个R₁和X可以相同也可以不同。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780014538.6

申请日期：2007-03-14

公开/公告号：CN101427183

公开/公告日：2009-05-06

主分类号：G03F7/11(2006.01)I

申请/专利权人:JSR株式会社

发明/设计人:能村仲笃;今野洋助;杉田光;高桥纯一

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:左嘉勋%刘继富

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种下层膜形成用组合物，其中，含有具有下述通式(1)所示的萘衍生物结构单元的聚合物(A)，式中，R1表示羟基、碳原子数为1～6的可以取代的烷基、碳原子数为1～6的可以取代的烷氧基、碳原子数为2～10的可以取代的烷氧羰基、碳原子数为6～14的可以取代的芳基、或碳原子数为2～6的可以取代的缩水甘油醚基；n是0～6的整数；其中，n为2～6时，多个R1可以相同也可以不同；X表示亚甲基、碳原子数为2～20的可以取代的亚烷基、碳原子数为6～14的可以取代的亚芳基、或亚烷基醚基；m是1～8的整数；m为2～8时，多个X可以相同也可以不同；此外，n+m是1～8的整数。