双重曝光光刻工艺

摘要：

在第一光刻胶层中将第一高分辨率图案限定于第一工作表面上，并去除部分的所述第一光刻胶层从而在所述工作表面上暴露出所述图案。然后由第二光刻胶层覆盖在所述工作表面上暴露出的部分和所述第一光刻胶层中的保留部分。接着在所述第二光刻胶层中限定第二低分辨率图案，并去除部分的所述第二光刻胶层从而在所述工作表面上暴露出第三图案，该第三图案是所述第一图案的子集。可以使用标准(非定制)掩膜来限定所述第一图案，同时使用定制的但分辨率较低的掩膜来限定所述第二图案。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780013453.6

申请日期：2007-04-04

公开/公告号：CN101421675

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：G03F7/26(2006.01)I

申请/专利权人:阿尔特拉公司

发明/设计人:彼得·J·麦克尔赫尼;刘幼装

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司

代理人:余 朦%王艳春

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1. 双重曝光光刻工艺，包括：在工作表面上形成第一光刻胶层；以具有由第一光刻掩膜限定的特征的第一图案将所述第一光刻胶层曝光于光化辐射；去除所述第一光刻胶层中由所述光化辐射限定的部分从而在所述工作表面上暴露出第一图案；在所述第一光刻胶层以及所述工作表面上暴露出的图案上形成第二层光刻胶层；以具有由第二光刻掩膜限定的特征的第二图案将所述第二光刻胶层曝光于光化辐射，所述第二图案与在所述工作表面上暴露出的所述第一图案对准；去除所述第二光刻胶层中由所述光化辐射限定的部分从而在所述工作表面上暴露出第三图案；以及将所述第三图案传递至所述工作表面，其中所述第一光刻掩膜是用于形成结构化专用集成电路(ASIC)的非定制掩膜，并且所述第二光刻掩膜是用于形成ASIC的定制掩膜。