利用蚀刻与沉积工艺制造改进式薄膜型太阳能电池互连的方法

摘要：

本发明提供一种在太阳光电模块内形成互连的方法。根据本发明的一个方面，该方法包含类似制作现有集成电路的工艺步骤。例如，该方法可包含屏蔽与蚀刻以在电池之间形成隔离凹槽，以及额外的蚀刻以形成邻接该凹槽的导电阶梯，其中该导电阶梯可形成电池之间的互连。根据本发明的另一个方面，用以形成导电阶梯的方法可为自对准，诸如将一镜子定位于模块上方以及由基材下方以一角度曝光光刻胶一或多次，并蚀刻以显露出该导电阶梯。根据另一个方面，该工艺可包含于模块中形成网格线的步骤，以改善在结构中的电流传导。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780012119.9

申请日期：2007-03-29

公开/公告号：CN101438207

公开/公告日：2009-05-20

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:应用材料股份有限公司

发明/设计人:P·G·伯登

主申请人地址:美国加利福尼亚州

专利代理机构:上海专利商标事务所有限公司

代理人:陆 嘉

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1. 一种在薄膜太阳光电模块中形成互连的方法，包含：制备太阳光电模块层的堆栈于基材的顶表面上；形成隔离凹槽，其具有完全穿透该堆栈的第一与第二实质平行的边缘，同时在邻接该凹槽的该第一与该第二边缘处留下光刻胶于该堆栈的顶部；曝光邻接该凹槽的该第一边缘的光刻胶区域；以及利用该曝光的光刻胶来蚀穿该堆栈的一或多层，以形成邻接该凹槽的该第一边缘的接触阶梯。