具有至少一种谐振腔模式形状的MEMS谐振器

摘要：

本发明涉及具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括：具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其中，谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，其特征在于谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，第一沟槽(3)位于第二沟槽(3)内，以便在衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从衬底(2)释放谐振器结构(1)。本发明还涉及制造这种MEMS谐振器的方法。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780008457.5

申请日期：2007-03-08

公开/公告号：CN101401303

公开/公告日：2009-04-01

主分类号：H03H9/02(2006.01)I

申请/专利权人:NXP股份有限公司

发明/设计人:马克·斯沃洛斯基;帕特里·加芒;帕斯卡·菲利普

主申请人地址:荷兰艾恩德霍芬

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:朱进桂

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

1、一种具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其特征在于，所述谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，并且其特征还在于所述谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，所述第一沟槽(3)位于所述第二沟槽(3)内，以便在所述衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从所述衬底(2)释放所述谐振器结构(1)。