声波装置及其制造方法

摘要：

本发明提供一种声表面波装置(1)，在压电基板(2)上至少形成一个IDT电极(3)，按照覆盖IDT电极(3)的方式设置有温度特性改善用绝缘物层(6)，在将绝缘物层(6)的表面划分为IDT电极位于下方的第一表面区域、和IDT电极未位于下方的第二表面区域的情况下，与第一表面区域的至少一部分中的距离压电基板(2)的绝缘物层表面的高度相比，在设声波的波长为λ时，第二表面区域的至少一部分中的绝缘物层表面的高度高出0.001λ以上。由此，可以在几乎不导致相对频带的狭小化及插入损失劣化的情况下，有效地改善频率温度特性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780007466.2

申请日期：2007-02-06

公开/公告号：CN101395796

公开/公告日：2009-03-25

主分类号：H03H9/145(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社村田制作所

发明/设计人:木户俊介;中尾武志;中井康晴;西山健次;门田道雄

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:李香兰

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种声波装置，具备：具有一个主面和另一个主面的压电基板；形成在所述压电基板的一个主面上的至少一个IDT电极；和在所述压电基板上被设置成覆盖所述IDT电极的温度特性改善用绝缘物层；在设声波的波长为λ，并将所述绝缘物层表面划分成IDT电极位于下方的第一表面区域、和IDT电极未位于下方的第二表面区域的情况下，与第一表面区域的至少一部分中的距离压电基板的绝缘物层表面的高度相比，所述第二表面区域的至少一部分中的绝缘物层表面的高度高出0.001λ以上。