声表面波装置

摘要：

本发明提供一种声表面波装置，不仅能够抑制在频率特性上出现的波动，具有良好的温度特性，而且利用瑞利波，能够有效地抑制由SH波乱真所引起的影响，具有良好的频率特性。声表面波装置(1)，在(0°±5°、θ、0°±10°)的LiNbO₃基板(2)上，形成以Cu为主体、并且包括IDT电极(3)的电极，在除去形成有包括IDT电极(3)的电极的区域的剩余的区域，形成与电极相等的厚度的第一氧化硅膜(6)，以覆盖电极和第一氧化硅膜(6)的方式形成第二氧化硅膜(7)，以成为满足下述公式(1)或(2)的范围的方式，选择欧拉角θ和第二氧化硅膜(7)的标准化膜厚(H)。[数1]-50×H²-3.5×H+38.275≤{θ}≤10H+35(其中，H＜0.25) 公式(1)；[数2]-50×H²-3.5×H+38.275≤{θ}≤37.5(其中，H≥0.25) 公式(2)。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780006047.7

申请日期：2007-02-06

公开/公告号：CN101385240

公开/公告日：2009-03-11

主分类号：H03H9/25(2006.01)I

申请/专利权人:株式会社村田制作所

发明/设计人:中井康晴;西山健次;中尾武志;加藤雅则;门田道雄

主申请人地址:日本京都府

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:李香兰

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1. 一种声表面波装置，其利用瑞利波，包括：欧拉角(0°±5°、θ、0°±10°)的LiNbO3基板；形成在所述LiNbO3基板上，以Cu为主体，包括至少1个IDT电极的电极；在除去形成有所述电极的区域的剩余的区域，以成为与所述电极相等的厚度的方式形成的第一氧化硅膜；和以覆盖所述电极和第一氧化硅膜的方式形成的第二氧化硅膜，所述电极的密度为所述第一氧化硅膜的密度的1.5倍以上，所述第二氧化硅膜的标准化膜厚H，和所述欧拉角(0°±5°、θ、0°±10°)θ为满足下述公式(1)或(2)的范围，[数1]-50×H2-3.5×H+38.275≤{θ}≤10H+35，其中，H<0.25 公式(1)[数2]-50×H2-3.5×H+38.275≤{θ}≤37.5，其中，H≥0.25 公式(2)。