在多电平单元存储设备内安排数据的方法

摘要：

一种存储数据的方法包括：将数据的第一部分存储在非易失性存储器的具有第一错误概率的比特位置；将数据的第二部分存储在非易失性存储器的具有比第一错误概率低的第二错误概率的比特位置；将纠错奇偶校验比特与数据一起存储；以及用纠错奇偶校验比特对所读出的数据应用纠错方案，其中第一部分的至少一个比特在第二部分的任何比特被纠正校验前被纠正校验。纠错方案在对所有的数据纠正校验前停止。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780002447.0

申请日期：2007-01-17

公开/公告号：CN101502001

公开/公告日：2009-08-05

主分类号：H03M13/00(2006.01)I

申请/专利权人:晟碟以色列有限公司

发明/设计人:M·穆里恩

主申请人地址:以色列卡法萨巴

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:朱智勇

国别省市代码:以色列;IL

权利要求：

1. 一种存储数据的方法，所述方法包括下列步骤：(a)将数据的第一部分存储在非易失性存储器的具有第一错误概率的比特位置；(b)将数据的第二部分存储在所述非易失性存储器的具有比所述第一错误概率低的第二错误概率的比特位置；(c)将纠错奇偶校验比特与数据一起存储；(d)从所述非易失性存储器读出数据和所述纠错奇偶校验比特；以及(e)用所述纠错奇偶校验比特对所读出的数据进行纠错，其中所述第一部分的至少一个比特在所述第二部分的任何比特被纠正校验前被纠正校验。