利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器

摘要：

一种数字输出驱动器，包括可以用薄氧化物FET实现的前置驱动器(310)和驱动器(360)。前置驱动器(310)基于数字输入信号来生成第一数字信号(14)和第二数字信号(16)。第一数字信号具有由第一(例如焊盘)电源电压(VPAD)和中间电压(VINT)确定的第一电压范围。第二数字信号具有由第二(例如内核)电源电压(VCORE)和电路的地(VSCS)确定的第二电压范围。驱动器接收第一和第二数字信号并提供数字输出信号(VOUT)，该数字输出信号具有由第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围。前置驱动器可以包括锁存器(320)和锁存器驱动器(330)。锁存器存储数字输入信号的当前逻辑值。锁存器驱动器向锁存器写入逻辑值。使能锁存器驱动器达一个短的持续时间，以写入逻辑值，随后将其关闭。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200780002249.4

申请日期：2007-01-12

公开/公告号：CN101371441

公开/公告日：2009-02-18

主分类号：H03K17/10(2006.01)I

申请/专利权人:高通股份有限公司

发明/设计人:V·斯里尼瓦斯;V·莫汉

主申请人地址:美国加利福尼亚

专利代理机构:永新专利商标代理有限公司

代理人:陈松涛%王 英

国别省市代码:美国;US

权利要求：

1.一种集成电路，包括：锁存器，其被配置成提供具有第一电压范围的第一数字信号，所述第一电压范围由第一电源电压和中间电压确定；以及耦合到所述锁存器的驱动器，其被配置成接收所述第一数字信号和第二数字信号并提供数字输出信号，其中所述第二数字信号具有由第二电源电压和电路的地确定的第二电压范围，其中所述数字输出信号具有由所述第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围，并且其中所述第一电源电压高于所述第二电源电压。