一种双输入路径的超宽带低噪声放大器

摘要：

本发明是一种双输入路径的超宽带低噪声放大器。在传统的共栅结构基础上，增加了从栅极输入的高频路径，实现了一种“高频共源、低频共栅”的宽带输入匹配结构，实现了低噪声放大器的超宽带输入近似匹配。该结构在低频时利用放大器的跨导实现恒定的输入阻抗匹配，而高频时则利用共栅结构中的源极电感来实现高频输入匹配，同时利用高频输入时的低品质因子并和低频输入匹配结合，形成覆盖超宽频带的输入匹配。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710179862.5

申请日期：2007-12-19

公开/公告号：CN101465618

公开/公告日：2009-06-24

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:王 晗;叶 青

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1. 一种双输入路径的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：宽带输入匹配电路(11)，用于提供低噪声放大器的宽带输入匹配；共栅结构(12)，用于隔离输入端与输出端；CMOS晶体管(13)，用于提供放大器增益和噪声匹配；输入信号由所述宽带输入匹配电路(11)进入，分别经过所述宽带输入匹配电路(11)的两条不同路径到达输出端口；所述宽带输入匹配电路(11)的两个输出端口分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连；所述共栅结构(12)一端与所述CMOS晶体管(13)的源极相连，另一端与参考地相连。