一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法

摘要：

本发明涉及半导体学中的微细加工技术领域，公开了一种通过金属铬掩蔽膜进行干法刻蚀的方法，在需要刻蚀图形的衬底上先旋涂一层电子束抗蚀剂，然后利用电子束曝光得到所需要的图形；再蒸发沉积一层金属Cr层，使其覆盖光刻胶的全部表面；再通过剥离lift-off工艺将金属Cr剥离，得到金属Cr掩蔽图形；再通过干法刻蚀，在衬底上得到所需要的图形，完成对衬底的图形化。利用本发明，通过使用金属掩蔽膜来进行干法刻蚀，使得掩蔽膜的去除快速、干净，为干法刻蚀的进一步发展奠定了重要的基础。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710176278.4

申请日期：2007-10-24

公开/公告号：CN101419400

公开/公告日：2009-04-29

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:李维龙;贾 锐;刘 明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;王 琴;商利伟;涂德钰;刘 琦;陈 晨

主申请人地址:100029北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司

代理人:周国城

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种通过金属铬Cr掩蔽膜进行干法刻蚀的方法，其特征在于，在需要刻蚀图形的衬底上先旋涂一层电子束抗蚀剂，然后利用电子束曝光得到所需要的图形；再蒸发沉积一层金属Cr层，使其覆盖光刻胶的全部表面；再通过剥离lift-off工艺将金属Cr剥离，得到金属Cr掩蔽图形；再通过干法刻蚀，在衬底上得到所需要的图形，完成对衬底的图形化。