半色调掩模板及其制造方法

摘要：

本发明涉及一种半色调掩模板及其制造方法，半色调掩模板包括基板，基板设有非透射区域、半透射区域和透射区域，非透射区域设置有第一掩模材料层，半透射区域设置有可调节透射率的第二掩模材料层，第一掩模材料层位于基板的一面，第二掩模材料层位于基板的另一面。半色调掩模板的制造方法，括分别在基板的二面上形成作为非透射区域的第一掩模材料层和作为半透射区域的第二掩模材料层。本发明有效解决了半透射区域出现材料层重叠沉积的现象和蚀刻工艺中所使用的蚀刻物质和已形成的材料层产生化学反应的现象，从而提高了半色调掩模板的质量。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN200710175648.2

申请日期：2007-10-09

公开/公告号：CN101408724

公开/公告日：2009-04-15

主分类号：G03F1/00(2006.01)I

申请/专利权人:北京京东方光电科技有限公司

发明/设计人:刘圣烈;崔莹石

主申请人地址:100176北京市经济技术开发区西环中路8号

专利代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人:刘 芳

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1、一种半色调掩模板，包括基板，所述基板设有非透射区域、半透射区域和透射区域，所述非透射区域设置有第一掩模材料层，所述半透射区域设置有可调节透射率的第二掩模材料层，其特征在于：所述第一掩模材料层位于所述基板的一面，所述第二掩模材料层位于所述基板的另一面。